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▶扇入式(Fan-In)晶圆级封装技术采用微影制程及电镀技术于晶圆上制作焊球或铜柱焊球形成焊球接点,后续可藉由此焊球接点进行覆晶组装(Flip Chip),形成电性导通,并降低基板与组件间因热膨胀差异产生的应力,增加组件的可靠性。同时可利用线路重布技术让焊球与接点的间距作有效率的安排,以因应IC封装尺寸缩小、高密度I/O接点、连接导线短、低噪声、高电性要求等趋势。



▶扇出式(Fan-out)“扇出”封装可以定义为任何连接从芯片表面扇出的封装,从而支持更多的外部I/O。传统的扇出封装使用环氧树脂模塑料来完全嵌入芯片,而不是将它们放置在基板或中介层上。扇出封装通常涉及在硅晶圆上切割芯片,然后非常精确地将已知良好的芯片定位在薄的“重组”或载体晶圆/面板上,然后模制并在模制区域(芯片和扇出区域)顶部形成再分布层 (RDL),然后在顶部形成焊球。

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